作品总结
《半导体器件中纳米级的应力和应变工程》
《半导体器件中纳米级的应力和应变工程》，预计连续小型化（More-Moore）会受到限制，正在开展大量研究工作以在单个芯片中共同集成各种功能（More-than-Moore）。目前，应变工程是用于提高先进半导体器件性能的主要技术。本书从工程应用的角度出发，涵盖了半导体器件的广泛领域，包括 Si、异质结构硅锗 (SiGe) 和 III-N 化合物半导体器件的设计、模拟和分析。这本书提供了理解纳米级技术 CAD (TCAD) 设计的新的和未来发展所需的背景和物理洞察力。
本书的特色：
涵盖半导体器件中的应力应变工程，例如 FinFET 和基于 III-V 氮化物的器件
包括全局和局部应变技术中应变衬底的综合迁移率模型及其在器件模拟中的实施
解释应变/应力关系的发展及其对应变基板能带结构的影响
使用实验设计来寻找最佳工艺条件
说明使用 TCAD 对应变工程 FinFET 建模以进行直流和交流性能预测
本书适用于研究固态器件和材料、微电子、系统和控制、电力电子、纳米材料以及电子材料和器件的研究生和研究人员。
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