《数字CMOS工艺中的高频连续时间滤波器 》

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日期:2022-05-31

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作品总结

《数字CMOS工艺中的高频连续时间滤波器 》


将整个系统放在单个芯片上的趋势越来越明显。这意味着模拟电路必须与大型数字系统共存于同一基板上。由于技术在优化时考虑了这些数字系统,因此设计人员在未来几年将不得不使用标准CMOS工艺。我们从这个角度解决模拟滤波器设计问题。滤波器在从计算机光盘驱动芯片到无线电收发器的各种应用中构成了重要的模块。在本书中,我们开发了在标准CMOS工艺中实现高频(数百兆赫兹)可编程连续时间滤波器所需的理论和技术。由于这些技术中没有高密度多聚电容器,因此必须找到替代电容器结构。金属电容器具有低比电容。另一种方法是使用由MOSFET栅极形成的(固有的非线性)电容。在第2章中,我们将重点介绍MOS电容器作为积分元件的使用。针对累积中的双端MOS结构,给出了一个基于物理的模型,该模型可以准确预测失真。计算这些电容器中的失真作为信号摆幅和偏置电压的函数。第3章根据偏置相关积分电容对连续时间滤波器架构进行了评述。我们还讨论了各种CMOS跨导元件的优缺点。本文详细讨论了在设计高频可编程滤波器时遇到的问题。

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