除了体式CMOS技术之外,绝缘体上硅(SOI)CMOS技术一直被视为VLSI的另一项主要技术。由于埋入式氧化物结构,SOI技术为深亚微米低压、低功耗VLSI电路应用提供了具有更高速度、高密度和更低二阶效应的卓越CMOS器件。除了VLSI应用外,由于其出色的性能,SOI技术已被用于实现通信电路,微波器件,BICMOS器件,甚至光纤应用。
《CMOS VLSI 工程:绝缘体上的硅解决了 SOI 》CMOS VLSI 工程中的三个关键因素 - 处理技术、器件建模和电路设计都包含其相互交互。从 SOI CMOS 处理技术和 SOI CMOS 数字和模拟电路开始,介绍了 SOI CMOS 器件的行为,随后是一个 CAD 程序 ST-SPICE,该程序集成了深亚微米完全耗尽的间空隔离 SOI CMOS 器件和专用 SOI 器件(包括多晶硅 TFT)的模型。它还适用于对微电子感兴趣的电气工程专业人员。
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