SOI 电路设计概念（SOI Circuit Design Concepts）

市场对微处理器性能的需求促使CMOS通过一系列光刻技术不断扩展。量子力学对持续缩放的限制正变得显而易见。部分耗尽绝缘体上的硅（PD-SOI）技术正在成为解决这些限制的一种有希望的手段。它还引入了额外的设计复杂性，必须很好地理解。《SOI电路设计概念》首先向学生或执业工程师介绍SOI器件物理及其基本特性。然后，它引导读者实现这些机制，这些机制在常见的高速微处理器设计中观察到。提供了经验法则和与传统体式CMOS的比较，以指导实施。然而，SOI的最终优势可能在于它支持的独特电路拓扑结构。还描述了一些这些新颖的新方法。SOI电路设计概念借鉴了最新的行业文献以及作者的第一手经验。这是对管理SOI使用概念的理想介绍，并为进一步研究这种令人兴奋的新技术范式提供了坚实的基础。