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日期:2023-05-01
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在过去的十年中,随着电子行业的爆炸式增长以及用于固态照明、绿色能源、显示器、通信和数字计算的无数异质外延器件的发展,异质外延的重要性不断增加。我们对异质外延基础的基本物理和化学,特别是晶格松弛和位错动力学的理解不断加深,使得对变质器件的日益重视成为可能。为了反映这一重点,这个新版本中加入了两个全新的章节。一章涉及变质缓冲层,另一章涉及变质装置。其余七章经过广泛修订,增加了关于晶体对称性和关系、III-氮化物材料、晶格弛豫物理和模型、原位表征和倒易空间图的新材料。
《太赫兹半导体技术:室温操作下的器件和系统》
《纳米场效应晶体管基础 》
《模拟芯片设计要点》
《用于纳米级CMOS的高/混合电压模拟和RF电路技术(High-/Mixed-Voltage Analog and RF Circuit Techniques for Nanoscale CMOS)》
《高频电路工程》
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