《CMOS-MEMS/NEMS器件的开发》

如国际半导体技术路线图所述，微和纳米机电系统（M/NEMS）器件构成了关键技术构建模块，可在超越摩尔时代实现集成电路（IC）中增加的附加功能。

CMOS IC和M/NEMS芯片可以组合在同一封装（SiP）中，也可以集成在单个芯片（SoC）中。在SoC方法中，M/NEMS器件与CMOS电路单片集成在一起，允许为多种应用（物理传感器、化学传感器、生物传感器、执行器、能量执行器、滤波器、机械继电器等）开发紧凑且低成本的CMOS-M/NEMS器件。

片上CMOS电子集成可以克服亚微米和纳米级机电换能器中极低电平信号的限制，从而实现新颖的突破性应用。本期特刊旨在收集与CMOS单片集成的MEMS和NEMS器件的高质量研究贡献，独立于采用的最终应用和制造方法（MEMS优先，交错MEMS，MEMS-last或其他）。