作品总结
《碳化硅，第1卷：生长、缺陷和新应用》
《碳化硅，第1卷：生长、缺陷和新应用》这本书涵盖了我们目前对碳化硅作为半导体材料在电子领域的理解。它的物理特性使其比硅更有希望用于高性能设备。
该卷专门介绍材料，涵盖外延和体生长方法。详细讨论了缺陷的识别和表征。这些贡献有助于读者结合理论和实验方法，对缺陷有更深入的理解。
除了在电力电子、传感器和NEMS中的应用外，SiC最近作为受控石墨烯制造的衬底材料获得了新的兴趣。碳化硅和石墨烯研究面向终端市场，并对电动汽车等快速增长的兴趣领域产生了巨大影响。
贡献者名单读起来像是SiC社区的“名人录”，从积极参与SiC晶体生长和设备开发的研究机构和企业之间的合作中获益匪浅。这本书涵盖了我们目前对碳化硅作为半导体材料在电子领域的理解。它的物理特性使其比硅更有希望用于高性能设备。
该卷专门介绍材料，涵盖外延和体生长方法。详细讨论了缺陷的识别和表征。这些贡献有助于读者结合理论和实验方法，对缺陷有更深入的理解。
除了在电力电子、传感器和NEMS中的应用外，SiC最近作为受控石墨烯制造的衬底材料获得了新的兴趣。碳化硅和石墨烯研究面向终端市场，并对电动汽车等快速增长的兴趣领域产生了巨大影响。
本书的贡献者名单读起来像是SiC社区的“名人录”，读者可以从积极参与SiC晶体生长和设备开发的研究机构和企业之间的学习中获益匪浅。
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