《碳化硅功率模块设计：性能、鲁棒性和可靠性》

高频开关功率半导体器件是电力电子转换器的核心。迄今为止，这些器件一直以成熟的硅（Si）技术为主。然而，它们的固有物理极限正在成为实现更高性能功率转换的障碍。宽带隙（WBG）半导体器件具有更高的效率、更小的尺寸、更轻的重量和/或更长的使用寿命的潜力。电网电子和电动汽车中的应用正在增加，但如果应用要变得更加广泛，尤其是封装，就需要克服许多技术瓶颈。

本书介绍了用于新型WBG半导体（特别是碳化硅（SiC）功率MOSFET）的先进多芯片封装解决方案的开发。

覆盖范围包括：

• 介绍;
• 多芯片功率模块;
• 模块设计并转移到碳化硅技术;
• 最佳模块设计的电热、热机械、统计和电磁方面;
• 耐高温碳化硅功率模块;验证技术;
• 退化监测;
• 以及新兴的封装技术。

本书对学术界和工业界的研究人员和专家来说都是一本有价值的参考书。