《EUV 光刻，第二版》

“极紫外光刻（EUVL）是主要的光刻技术，旨在制造超越当前基于193纳米的光学光刻的计算机芯片，最近在几个方面取得了进展：EUV光源，光学，光学计量，污染控制，掩模和掩模处理以及光刻胶。本书涵盖了EUVL在该领域各个方面的基本和最新状态。它全面涵盖了EUVL的当前现场版本以及相关主题，包括光源，光学，掩模，光刻胶，污染，成像和扫描仪。自SPIE出版社出版第一版EUVL光刻技术以来的九年中，EUVL作为NGL选择技术的发展取得了很大进展。2008年，EUVL在前沿计算机芯片制造中取代基于193纳米的光学光刻技术的主要竞争者，但当时并不是每个人都相信。从 193 nm 切换到 13.5 nm 波长比行业以前尝试的要大得多。它给光刻的所有领域带来了一些困难的挑战 - 光源，扫描仪，掩模，掩模处理，光学，光学计量，光刻胶，计算，材料和光学污染。这些挑战已经得到有效解决，几家领先的芯片制造商已经宣布了从2018年开始将EUVL引入大批量生产的日期。

EUV lithography（极紫外线光刻）是一种先进的芯片制造技术，它可以在硅片上制作更小、更精细的电路和组件。与传统的光刻技术相比，EUV lithography使用极紫外线（波长为13.5纳米）作为光源，具有更高的分辨率和更低的制造成本。

EUV lithography技术被广泛应用于制造集成电路、微处理器、存储器、传感器和其他高科技产品。它被认为是未来芯片制造的重要发展方向之一，可以进一步提高芯片的性能、功能和集成度。

EUV lithography的技术原理是通过反射极紫外线来制造电路和组件。它使用涂有光刻胶的硅片作为基底，通过曝光和显影等步骤来将电路和组件转移到硅片上。由于极紫外线的波长很短，所以EUV lithography可以制造出比传统光刻技术更小、更精细的电路和组件。

EUV lithography技术的发展经历了多个阶段，从最初的实验阶段到现在的商业化应用阶段。随着技术的不断进步和应用范围的扩大，EUV lithography有望在未来发挥更加重要的作用，推动芯片制造技术的不断发展和进步。