《CMOS纳米电子学：创新设备、架构和应用（CMOS Nanoelectronics: Innovative Devices, Architectures, and Applications ）》
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日期：2021-11-03
出版：
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作品总结
《CMOS纳米电子学：创新设备、架构和应用（CMOS Nanoelectronics: Innovative Devices, Architectures, and Applications ）》
这本书涵盖了一个最重要的设备架构，已被广泛研究，以扩大晶体管的规模：FinFET。从理论开始，本书讨论了这种设备架构的优势和集成挑战。它详细介绍了高密度翅片图案、栅叠设计和源/漏工程等主题，这些主题一直被认为是FinFET集成的挑战。本书还讨论了与电路相关的方面，包括SRAM设计、ESD设计和高T操作的可变性影响。它讨论了一种新的器件概念：无结纳米线场效应晶体管。
关于本书的相关评论:
“这是一本综合性的书，也是非常及时和有用的。FinFet曾被视为一个异国的想法，但现在已经成为现实。更重要的是，它们正在大规模生产。器件工程师和电路设计师将非常高兴拥有这本书。”
―Max Lemme教授-瑞典皇家理工学院KTH
“近年来，多栅极器件已经取得了重大突破，很可能是未来许多先进器件应用的基础。这本书提供了一个极好的知识基础，以及一个关键的分析，跨越了最先进的工艺技术、电气设备行为和电路。相关问题。对于任何打算在多门器件领域工作的研究人员或学生来说，这无疑是一个宝贵的资源。”
―雷·达菲教授-爱尔兰科克大学学院
“本书涵盖了FinFET器件和电路技术的几乎所有方面，从器件概念、器件制造和表征到电路问题。在一本书中系统地描述了如此广泛的FinFET技术是非常独特的。考虑到FinFET刚刚成为主流器件在CMOS器件中，这本书的出版非常及时。因此，这本书将成为对最新先进CMOS器件和电路感兴趣的工程师和学生的良好参考。”
Shinichi Takagi教授-日本东京大学
“这本独特而及时的书对finFET和多栅晶体管体系结构发展背后的许多关键新奇和挑战进行了广泛而详细的描述。finFET和多栅晶体管体系结构的出现正将CMOS技术从快乐的扩展时代投射到真正纳米电子学的激动人心的领域。技术、性能助推器、专业cess集成、器件设计和电路设计问题在由多门晶体管研究领域的顶级专家撰写的一系列章节中进行了仔细而平衡的研究。专门的贡献涉及finFET计量、表征和建模方面的高级主题，并探索纳米电子学towa未来发展的潜力rd纳米线型器件。对随着多栅极器件的出现而引入的革命性创新的全面知识感兴趣的科学家和工程师强烈建议阅读本书。”
―意大利乌迪内大学卢卡·塞尔米教授
“本书专注于10年来对FinFET的前沿研究。以最新出版物为主干，它开发了先进设备的细节，前景广泛，如技术扩展、ESD保护、高温操作、设备可变性和建模。在trigate体系结构日益受到重视的时候请注意，我希望这本书很快会成为迅速发展的多门社区的参考。”
―埃曼纽尔·奥根德教授-CEA-LETI，法国
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