《如何不出错》介绍了所有这些问题背后的惊人启示，以及更多其他问题，使用数学家分析生活的方法，并将学术界来之不易的见解暴露给外行人 - 减去行话。埃伦伯格在广阔的时间和空间中追逐数学线索，从日常到宇宙，遇到棒球，里根经济学，大胆的彩票计划，伏尔泰，心理学中的可复制性危机，意大利文艺复兴时期的绘画，人造语言，非欧几里得几何的发展，即将到来的肥胖启示录，安东尼·斯卡利亚对犯罪和惩罚的看法，史莱姆霉菌的心理学， Facebook能弄清楚和不能弄清楚你，以及上帝的存在。

《Build》是为任何想在工作中成长的人而写的——从初次工作的年轻毕业生到决定是否出售公司的首席执行官——充满了个人故事、实用建议和对20世纪一些最具影响力的产品和人的迷人见解。

电路仿真在集成电路设计中至关重要，电路仿真的精度取决于晶体管模型的精度。BSIM3v3（伯克利短通道IGFET模型的BSIM）已被紧凑型模型委员会选为第一个用于标准化的MOSFET模型，该模型委员会是由半导体和设计工具领域的领先公司组成的联盟。

伯克利短通道IGFET模型（BSIM）被全球更多的芯片设计人员使用，在过去几年中，它已经确立了自己作为电路仿真和CMOS技术开发事实上的标准MOSFET SPICE模型的地位。然而，到目前为止，还没有独立的专家指南或教程来补充目前可用的各种BSIM手册。本书由该领域的一位著名专家撰写，通过为理解和优化使用 BSIM3 和 BSIM4 提供全面的指南，填补了文献中的空白。

本书提供分析和讨论各种MOSFET技术的设计，这些技术用于下一代通信系统双刀四掷（DP4T）RF开关的设计。

本书介绍了高频功率MOSFET栅极驱动器技术，包括用于GaN HEMT的栅极驱动器，这些技术在下一代开关功率转换器中具有巨大潜力。栅极驱动器在控制和功率器件之间起着至关重要的作用。

时不时地，一本好书会出现，并且理所当然地使自己成为现有的电力工程文献中的佼佼者。Arieh Shenkman教授的这本书就是其中之一。今天，有许多优秀的教科书涉及电力系统的主题。

本书是为大约高年级的大学生开发一门关于设备和集成电子学的广泛课程的尝试的结果。教育先决条件是半导体结和晶体管概念的入门课程，以及模拟和数字电路课程，该课程介绍了整流，放大，振荡器，调制和逻辑以及开关电路的概念。

《二极管、晶体管和 FET 电路手册》是基于分立半导体元件（如二极管、晶体管和 FETS）的电路手册。本书还包括图表和实用电路。

《纳米级场效应晶体管基础》全面涵盖了纳米级晶体管背后的基本物理原理和理论。充分探讨了纳米级MOSFET出现的具体问题，如量子力学隧穿和反演层量子化。