作品总结
《极紫外光刻》
《极紫外光刻》极紫外光刻 (EUVL) 是超越当前基于 193 纳米的光学光刻的主要光刻技术,旨在制造计算机芯片,最近在几个方面取得了进展:EUV 光源、扫描仪、光学、污染控制、面具和面具处理,并抵抗。本书涵盖了该领域使用的 EUVL 各个方面的基本和最新状态。自 2008 年 SPIE Press 出版第一版 EUVL Lithography 以来,EUVL 作为下一代光刻的首选技术的发展取得了很大进展。 2008 年,EUVL 是在领先的计算机芯片制造中取代 193 纳米光学光刻技术的主要竞争者,但当时并不是每个人都信服。从 193-nm 切换到 13.5-nm 波长是一个比业界以前尝试过的更大的飞跃。它在光刻光源、扫描仪、掩模、掩模处理、光学、光学计量、抗蚀剂、计算、材料和光学污染的所有领域带来了几个困难的挑战。这些挑战已得到有效解决,几家领先的芯片制造商已宣布从 2018 年开始将 EUVL 插入大批量制造的日期。这本综合卷包含来自世界领先的 EUVL 研究人员的贡献,并提供了从业者和想要了解该领域的人所需的关键信息。对 EUVL 技术的兴趣不断增加,这本书为理解和应用这项激动人心的技术奠定了基础。本书适用于涉及 EUVL 一个或多个方面的人员以及学生,他们会发现本书同样有价值。
0条评论