《用于双刀四掷射频开关的 MOSFET 技术》

作者:

日期:2022-02-02

出版:

  • 245
  • 0
  • 0

作品总结

《用于双刀四掷射频开关的 MOSFET 技术》


《用于双刀四掷射频开关的 MOSFET 技术》本书分析并讨论了用于设计下一代通信系统的双刀四掷 (DP4T) 射频开关的各种 MOSFET 技术的设计。 作者通过使用双栅极 (DG) MOSFET 以及圆柱形环绕双栅极 (CSDG) MOSFET 讨论了 (DP4T) 射频开关的设计。 还探讨了 HFO2(高介电材料)在 DG MOSFET 和 CSDG MOSFET 设计中的作用。 覆盖范围包括单栅极 MOSFET 和双栅极 MOSFET 开关参数的比较,以及使用图像采集测试 MOSFET 参数。

0条评论