作品总结
《CMOS处理器和存储器（CMOS Processors and Memories）》
《CMOS处理器和存储器》解决了新兴计算系统背景下集成电路设计的最新技术。讨论了存储器和处理器的新设计机会。本书研究了新兴材料，如碳纳米管、石墨烯、铁电体和隧道结，这些材料可以使系统性能超越标准CMOS。
《CMOS处理器和存储器》分为两部分：处理器和存储器。在第一部分中，我们从高性能、低功耗处理器设计开始，然后是关于多核处理的一章。它们都代表了当前计算行业最先进的概念。第三章讨论异步设计，它仍然为未来的计算需求带来很多希望。最后，我们提出了一种“硬件设计空间探索”方法，用于实现和分析贝叶斯推理框架的硬件。这种特殊的方法包括：分析计算成本和探索候选硬件组件，提出使用传统CMOS和混合纳米技术CMOL的各种定制架构。第一部分总结了混合CMOS纳米结构。
本书的第二部分是内存部分，包括最先进的SRAM、DRAM和闪存以及新兴的期间概念。半导体存储器是完全定制设计的一个很好的例子，它应用各种模拟和逻辑电路来利用存储器单元的器件物理。详细讨论了隧道效应、热电子注入、电荷俘获（闪存）等关键物理效应。还描述了依赖于磁化、电子自旋排列、铁电效应、内置势阱、量子效应和热熔化的新兴存储器，如FRAM、PRAM和ReRAM。
《CMOS处理器和存储器》是任何认真研究未来计算技术电路设计的人员的必备之书。这本书是由工业界和学术界的顶尖国际专家撰写的。它可以用于研究生课程。
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