《纳米级CMOS VLSI电路的缺陷导向测试，第2版》

由于缺陷和工艺公差缩小而导致的纳米技术失败给IC测试带来了重大挑战。由于沟道长度、阈值电压、薄氧化物厚度和互连尺寸等基本参数的变化远远超出了可接受的限值，因此需要新的测试方法和对缺陷-故障映射物理场的更深入的了解。在《纳米CMOS VLSI电路的缺陷导向测试》中，从理论方法和实践角度介绍了面向缺陷的测试技术。逐步处理缺陷建模、面向缺陷的测试、良率建模及其在常见经济学实践中的用法，可以更深入地理解概念。

本书中开发的进展对于理解新的测试方法，算法和工业实践至关重要。如果没有对纳米技术物理原理的深入了解，就很难开发出能够产生高IC故障覆盖率的系统级测试策略。显然，书中介绍的面向缺陷的测试工作不是最终的，它是一个不断发展的领域，纳米技术不断变化的性质带来了有趣的挑战。来自学术界和工业界的测试和设计从业者会发现，《纳米级CMOS VLSI电路的缺陷导向测试》为进一步的开创性工作奠定了基础。