《硅化学蚀刻》

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日期:2022-03-05

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作品总结

《硅化学蚀刻》


在本卷的第一篇文章中,我们读到世界范围内单晶硅的年产量约为 2000 公吨。考虑到当今硅晶体的大小,这个数字相当于每年通过 Czochralski (80%) 或浮动区 (20%) 技术生长的 100000 个硅晶体。但是,据我所知,还没有一篇连贯而全面的文章涉及“艺术和科学”,以及通过 Czochralski 技术生长硅晶体的实际和技术方面。如果不是 W. Dietze、W. Keller 和 A. Miihlbauer 发表在本系列前面第 5 卷(“Silicon”)中的评论文章(以及上述两位作者的专着几乎同时出版)。作为本书的编辑,我很高兴成功说服了世界上最大的硅晶体生产商 Wacker-Chemitronic GmbH 的两位科学家 W. Zulehner 和 D. Huber通过 Czochralski 方法生长硅晶体和硅晶片制造的科学方面。我相信许多从事硅晶体工作的科学家或工程师——无论是在实验室还是在生产环境中——将从本卷书籍中受益。

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