作品总结
《晶体管参数提取与复杂非线性建模》
所有模型参数基本上都耦合在一起，因此直接测量的单个参数虽然被广泛使用和接受，但最初可能只能作为一个良好的估计。这本综合资源介绍了基于砷化镓（GaAs）和氮化镓（GaN）技术的半导体场效应器件参数建模的各个方面的知识。金属半导体场效应晶体管（MESFET），高电子迁移率晶体管（HEMT）和异质结双极晶体管（HBTs），其结构和功能以及现有的晶体管型号也被分类。提出Shockley模型是为了深入了解半导体场效应晶体管（FET）器件物理，并解释半导体的几何尺寸和材料参数与器件性能之间的关系。
本书还讨论了捕获和热时间常数的提取。本书也有一个特殊部分专门介绍应用于大信号测量的标准非线性FET模型，包括静态/脉冲直流和单/双音信号激励下的性能。本书还包括用于信号波形测量的高功率测量设置、宽带源/负载load-pull测量（包括包络源/负载load-pull/source-pull）以及高功率互调失真 （IMD） 测量设置（包括包络负载牵引load-pull/）。本书由该领域的世界知名专家撰写，是第一本以单卷形式涵盖半导体FET器件建模各个方面知识的书籍。
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