作品总结
《面向超低功耗应用的全耗尽型 SOI CMOS 电路和技术》
CMOS技术面临的最重要问题是由于缩放定律引起的芯片功率爆炸。全耗尽 （FD） SOI 技术为芯片实现提供了一种有前途的低功耗解决方案。功耗低于10 mW的超低功耗VLSI将成为即将到来的无处不在的IT社会中终端的关键组件。面向超低功耗应用的全耗尽型 SOI CMOS 电路和技术解决了降低超低功耗工作传统电路电源电压的问题，并解释了电源电压为 0.5 V 时 FD-SOI 器件的节能 MTCMOS 电路设计。
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