本部分介绍如何在高功率应用中设计和调整耦合栅极驱动器和SiC MOSFET组合。它使用电流隔离的IGBT栅极驱动器作为起点，并通过新的专用电流隔离SiC栅极驱动器进行了改进。本文首先解释了SiC MOSFET与Si IGBTS和SJ MOSFET的不同栅极驱动要求。接下来讨论25kW应用的具体要求，实施SiC栅极驱动器，仿真栅极驱动器设计以及PCB布局指南。

第5部分探讨了此类系统的控制策略和算法的实现。它提供了有关工程团队采用的控制硬件和软件开发方法的第一手资料，这有助于加快固件开发和验证过程。此处描述的开发过程可确保在原型硬件可用或设计之前，尽早将错误最小化并检测到。

在本系列的第4部分中，焦点是DC-DC双有源桥移相（DAB-PS）零电压开关（ZVS）转换器。在这里，作者介绍了DC-DC级的一些设计过程。特别是，他们解释了开发此类转换器的关键设计考虑因素和权衡，特别是围绕磁性元件的定义，并讨论了功率仿真和设计决策。

这部分26页，第3部分介绍了快速EV充电器的AC-DC转换级（又名PFC级）的仿真，讨论了仿真目标，如何选择模型，选择哪些操作和组件参数，以及从此处提供的仿真结果中得出的结论。

本系列文章的第2部分将进一步详细描述快速EV充电器的架构，解释两个阶段的拓扑选择 - 有源整流或PFC级和双有源全桥DC-DC转换器级。根据充电器要求，讨论了拓扑权衡和操作选择（如开关频率）。

在第1部分中，介绍了正在开发此充电器设计的安森美半导体多学科工程团队的成员;讨论了充电器的基本结构，电气和功能要求;描述了设计和开发过程，并概述了本系列文章中要涵盖的主题。

在第二部分中，作者提出了一个稳压器设计，该设计演示了如何在实践中满足和验证第1部分中解释的抗扰度要求。例如，作者深入研究了一种为最大负载电流为15 A的电子控制模块（ECU）供电的实现方法，该稳压器设计采用12 V电池工作，基于LM25141-Q1同步降压控制器，在2.1 MHz的开关频率下使用40 V硅MOSFET，以减小无源元件尺寸并避免在AM无线电频段工作。

本系列文章的第 1 部分介绍了与传统车辆电气系统（12 V 和 24 V）相关的抗扰度、ESD 和电源线瞬态要求。它首先确定CISPR和ISO标准，这些标准控制车辆，组件和子组件级别的抗扰度性能。

本文介绍了一种可轻松解决多个堆栈监控拓扑和配置的解决方案。它采用可调节的浮动拓扑结构，使其能够监控非常高的电压电池组，不受其自身14.5 V额定电压的影响。

本白皮书着眼于使用印刷电路板 （PCB） 的电子和机械设计人员面临其协作工具功能失调的十个领域。