电路仿真在集成电路设计中至关重要，电路仿真的精度取决于晶体管模型的精度。BSIM3v3（伯克利短通道IGFET模型的BSIM）已被紧凑型模型委员会选为第一个用于标准化的MOSFET模型，该模型委员会是由半导体和设计工具领域的领先公司组成的联盟。

伯克利短通道IGFET模型（BSIM）被全球更多的芯片设计人员使用，在过去几年中，它已经确立了自己作为电路仿真和CMOS技术开发事实上的标准MOSFET SPICE模型的地位。然而，到目前为止，还没有独立的专家指南或教程来补充目前可用的各种BSIM手册。本书由该领域的一位著名专家撰写，通过为理解和优化使用 BSIM3 和 BSIM4 提供全面的指南，填补了文献中的空白。

本书提供分析和讨论各种MOSFET技术的设计，这些技术用于下一代通信系统双刀四掷（DP4T）RF开关的设计。

本书介绍了高频功率MOSFET栅极驱动器技术，包括用于GaN HEMT的栅极驱动器，这些技术在下一代开关功率转换器中具有巨大潜力。栅极驱动器在控制和功率器件之间起着至关重要的作用。

时不时地，一本好书会出现，并且理所当然地使自己成为现有的电力工程文献中的佼佼者。Arieh Shenkman教授的这本书就是其中之一。今天，有许多优秀的教科书涉及电力系统的主题。

本书是为大约高年级的大学生开发一门关于设备和集成电子学的广泛课程的尝试的结果。教育先决条件是半导体结和晶体管概念的入门课程，以及模拟和数字电路课程，该课程介绍了整流，放大，振荡器，调制和逻辑以及开关电路的概念。

《二极管、晶体管和 FET 电路手册》是基于分立半导体元件（如二极管、晶体管和 FETS）的电路手册。本书还包括图表和实用电路。

《纳米级场效应晶体管基础》全面涵盖了纳米级晶体管背后的基本物理原理和理论。充分探讨了纳米级MOSFET出现的具体问题，如量子力学隧穿和反演层量子化。

《晶体管电子：半导体元件在开关操作中的应用》介绍了半导体元件及其基本电路。本书讨论了电子设备在提高生产率方面的应用范围。

《晶体管开关和时序电路》提出了计算机，仪器仪表，脉冲通信系统和自动化构建的基本思想。本书讨论了时序电路的设计过程。