《GaN 半导体材料与器件手册》本书介绍了节能白光发光二极管 (LED)、激光二极管和电力电子设备的材料生长、设备制造、设备应用和商业化。

在过去的十年中，人们提出了许多用于提高功率 MOSFET 性能的新概念。这项研究的结果分散在期刊文章和会议摘要中的技术文献中。

《功率半导体器件基础知识第 2 版Fundamentals of Power Semiconductor Devices 》深入探讨了电力电子行业常用的功率半导体器件的操作物理原理。

《垂直 GaN 和 SiC 功率器件》这一独特的新资源使用真实的商业设备数据、计算机和物理模型，对垂直氮化镓 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 功率器件进行了比较介绍。

《用于恶劣环境的碳化硅微系统》，适用于恶劣环境的碳化硅微系统回顾了最先进的碳化硅 (SiC) 技术，将这些技术结合起来，创建能够在恶劣环境中生存的微系统、系统组件的技术准备、将这些组件集成到系统中时的关键问题、和其他恶劣环境操作的障碍。

《氮化镓驱动的高频和高效电源转换》本书向读者展示了为什么氮化镓 (GaN) 晶体管与已经成熟的硅技术相比具有更优越的性能。此处描述的新型 GaN 基晶体管可实现高频和高效电源转换，从而实现更小、更高效的电源系统。

本书概述了化合物半导体材料及其技术。在介绍了理论背景之后，它描述了体和薄层外延生长的相关材料制备技术。

《半导体的异质外延：理论、生长和表征，第二版》，在过去的十年中，随着电子行业的爆炸式增长以及用于固态照明、绿色能源、显示、通信和数字计算的无数异质外延器件的发展，异质外延的重要性不断增加。

本书是对加速的金融变化（从现金的终结到加密货币的兴起）将如何使经济变得更好或更坏的前沿观察。

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